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Analyse théorique et physique de nouveaux matériaux à base de chalcogénures convenant aux Mémoires à Changements de Phases
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Bastard, A. |
| Copyright Year | 2012 |
| Abstract | Les memoires a changement de phase (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine generation de memoires non-volatiles du fait de leurs excellentes vitesses de fonctionnement et endurance. Cependant, deux inconvenients majeurs necessitent une amelioration afin de permettre leur percee sur le marche des memoires, a savoir un temps de retention court a hautes temperatures et une consommation electrique trop importante. Cette these s'interesse au developpement de nouveaux materiaux a changement de phase afin de remplacer le materiau standard Ge2Sb2Te5, inadapte aux applications memoires embarquees fonctionnant a hautes temperatures. Le comportement des materiaux binaires GeTe et GeSb a ainsi ete evalue et compare au materiau reference lors de la cristallisation de l'amorphe 'tel que depose' mais aussi de l'amorphe 'fondu trempe'. En effet, il est important d'etudier le materiau dans son etat amorphe 'fondu trempe' pour etre au plus pres de l'etat du materiau cycle dans les dispositifs. Ainsi, le mecanisme de cristallisation du GeTe determine par l'etude de la cristallisation de l'amorphe 'fondu trempe' par recuit laser est en accord avec l'observation MET in situ (recuit thermique) de la cristallisation. L'incorporation d'elements 'dopants' dans ces materiaux binaires a egalement ete evaluee afin d'augmenter a nouveau la stabilite thermique des materiaux non dopes. Certains elements 'dopants' permettent une diminution du courant de reset, ou un retard a la formation de 'voids' au cours des cycles. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00771412/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |