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1.15 eV-Effective Bandgap Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Wells towards High-Efficiency Lattice-Matched 4-Junction Solar Cells
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Toprasertpong, Kasidit |
| Copyright Year | 2015 |
| Abstract | 2. 実験および結果 1.15 eVの実効バンドギャップを達成するた めに量子井戸を次の通りに設計した. (1)InGaAs 井戸層の蓄積歪を小さくするために In 組成を高くした.32.5%まで高くすると In 偏析が起こるため,30.5%とした.(2)深い井戸 からキャリアの熱脱出の効率を高めるために GaAsP障壁層のP組成を20%とした.(3)InGaAs 層と GaAsP 層の間の急峻な応力の変化を抑制 するために組成傾斜の中間層を挿入した. Fig. 2 に In0.305Ga0.695As (6.0 nm)/中間層 / GaAs0.8P0.2 (18.2 nm) 量子井戸太陽電池の外部 量子効率を示す.1.15 eV(波長 1076 nm)のピ ークを確認し,4 接合セルに必要な電流(11.6 mA/cm )に対して期待できるサブセル電流 8.9 mA/cm を実現できた.また,バルク GaAs よ りも優れた Woc (= Eg/q Voc)を示し,開放電圧 の目標値 0.74 Vが達成された.これより,1.15 eV 量子井戸は 4接合太陽電池のサブセル材料 として有力であり,結晶成長技術および構造設 計の改善により更なる高効率化が期待される. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015s/14a-A26-9/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |